[实用新型]一种中子屏蔽体插片拼接装置有效
| 申请号： | 201420835835.4 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN204288826U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 邹建军;孙振忠;许楚滨;苏树聪;曾汉佳;黄嘉豪 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院;邹建军;孙振忠;许楚滨;苏树聪;曾汉佳;黄嘉豪 |
| 主分类号： | G21F3/00 | 分类号： | G21F3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种中子屏蔽体的屏蔽装置，尤指一种通过分层错开拼接以消除拼接缝隙的一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处；本实用新型采用双层错开插片拼接的结构，解决了在单层插片拼接时因产生缝隙而导致中子吸收不全或者吸收不良的问题；本实用新型结构简单，组装方便，在原拼接途径的基础上加以改进，利用同样简易的拼接途径结合稳定的结构设计，保证中子屏蔽并吸收的稳定性、安全性与高效性，从而保证中子谱仪能够顺利地完成后续工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子 屏蔽 体插片 拼接 装置 | ||
【主权项】：
一种中子屏蔽体插片拼接装置，主要包括多块插片互相拼接形成中子屏蔽体，其特征在于：所述的拼接装置主要由两层插片组成，两层插片均由若干块小型插片相互拼接组成大型插片，其中，下层的小型插片上表面设置在上层的小型插片两两拼接时所形成的缝隙处。
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