[实用新型]基于磁电效应的声表面波磁传感器有效
| 申请号： | 201420738722.2 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN204495981U | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 欧阳君;李杨;杨晓非;陈实;童贝 | 申请（专利权）人： | 瑞声光电科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213167 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型声表面波磁传感器利用磁电复合材料的谐振频率随磁场而变化的或特性测量磁场，其所述压电薄膜远离叉指电极的方向还设置有磁致伸缩薄膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。本实用新型的磁传感器具有高灵敏度、高分辨率、易于微型化、与MEMS和CMOS等工艺相兼容、功耗和成本低、驱动电路简单等优点，可辨别外磁场的方向，而且直接输出数字信号，可与现代数字系统直接通讯，无须连接模/数转换器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 效应 表面波 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于磁电效应的声表面波磁传感器，包括压电薄膜、设置在压电薄膜下的种子层、设置在压电薄膜上的叉指换能器，其特征在于：所述压电薄膜远离所述叉指换能器的方向还设置有磁致伸缩薄膜、铁磁或反铁磁层和衬底基片，所述铁磁或反铁磁层位于所述磁致伸缩薄膜和衬底基片之间形成一堆栈结构。
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