[实用新型]双极阵列天线有效

专利信息
申请号: 201420590436.6 申请日: 2014-10-13
公开(公告)号: CN204156092U 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 李明达;刘文斯;李世璋;陈铭耀 申请(专利权)人: 美磊科技股份有限公司
主分类号: H01Q1/50 分类号: H01Q1/50;H01Q1/38
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 王芝艳;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种双极阵列天线包括沿着第一方向延伸的第一馈线路径、沿着第一方向延伸的第二馈线路径及两个共用辐射体。第一馈线路径包括第一馈入点及相互对称的两个支路,两个支路的连接位置形成所述第一馈入点。第二馈线路径包括第二馈入点、第一支路及第二支路,第一支路与第二支路的连接位置形成所述第二馈入点。第一支路具有倒U形结构,使第一支路形成开口。开口沿着第二方向往第一馈线路径延伸。第一馈线路径的两个支路分别连接至两个共用辐射体,第二馈线路径的第一支路及第二支路分别连接至两个共用辐射体。
搜索关键词: 阵列 天线
【主权项】:
一种双极阵列天线,设置于一介质基底的一表面上,其特征在于,所述双极阵列天线包括:一第一馈线路径,沿着一第一方向延伸,其中所述第一馈线路径包括一第一馈入点及相互对称的两个支路,所述第一馈线路径的两个所述支路的连接位置形成所述第一馈入点;一第二馈线路径,沿着所述第一方向延伸,其中所述第二馈线路径包括一第二馈入点、一第一支路及一第二支路,所述第一支路与所述第二支路的连接位置形成所述第二馈入点,所述第一支路具有一倒U形结构,使所述第一支路形成一开口,所述开口沿着一第二方向往所述第一馈线路径延伸,所述第一方向与所述第二方向大致垂直;以及两个共用辐射体,所述第一馈线路径的两个所述支路分别连接至两个所述共用辐射体,所述第二馈线路径的所述第一支路及所述第二支路分别连接至两个所述共用辐射体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美磊科技股份有限公司,未经美磊科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420590436.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top