[实用新型]高稳定性低功耗32.768KHz晶体振荡器

摘要

本实用新型公开了高稳定性低功耗32.768KHz晶体振荡器，包括振荡器电路和电源产生电路，振荡器电源产生电路包括基准产生电路、放大器单元；其特征在于：所述的基准产生电路包括四个PMOS晶体管和四个NMOS晶体管；放大器单元中的一、二级放大电路通过电容连接构成频率补偿电路，振荡器电源产生电路通过负反馈放大电路产生高电源抑制比高稳定性的振荡器工作电压，决定了振荡电路的高稳定性，使输出的时钟信号不随电源电压的波动而波动；所述的基准产生电路采用了二极管连接的耗尽型场效应NMOS晶体管MN11，耗尽型场效应NMOS晶体管MN11的栅极接地，导通电路，实现了只有10nA左右的小工作电流晶体振荡器电路在低工作电压下工作，降低了振荡器的工作电流，实现低功耗。

主权项

高稳定性低功耗32.768KHz晶体振荡器，包括振荡器电路（1）和振荡器电源产生电路（2），所述振荡器电路（1）与所述振荡器电源产生电路（2）相连；所述的振荡器电源产生电路（2）包括基准产生电路（21）、放大器单元（22），放大器单元（22）和基准产生电路（21）相连；其特征在于：所述的基准产生电路（21）包括四个PMOS晶体管MP11、MP12、MP13、MP14和四个NMOS晶体管MN11、MN12、MN13、MN14；MP11的栅极和漏极相连，构成二极管连接，MP11的源极接电源，同时MP11的栅极通过电容C11连接电源，MP11的漏极和MN11的漏极相连，MN11的栅极和源极相连，MN11的源极接地；MP12的栅极与MP11的栅极相连，构成镜像电路；MP12的漏极与MN12的漏极相连，MP12的源极接电源；MN12的栅极和漏极相连，作为基准产生电路（21）的一个电压输出端Va，MN12的源极接地；MN13的栅极和MN12的栅极相连构成镜像电路，MN13的源极接地；MN13的漏极和MP13的漏极相连，MP13的栅极和漏极相连构成二极管连接，MP13的源极接电源，同时MP13的栅极通过电容C12连接电源；MP14的栅极与MP13的栅极相连构成镜像电路；MP14的源极接电源，MP14的漏极和MN14的漏极相连，MN14的栅极和漏极相连作为基准产生电路（21）的另一电压输出端Vb；所述的放大器单元（22），包括一级放大电路（221）、二级放大电路（222）和电容C23，电容C23的一端连接一级放大电路（221）的输出端，另一端连接二级放大电路（222）的输出端，构成频率补偿电路；一级放大电路（221）包括两个PMOS晶体管MP21、MP22和四个NMOS晶体管MN21、MN22、MN23、MN24以及电容C21、C22、C25；MP21和MP22构成放大电路的有源负载，MN21、MN22作为放大电路的输入器件，MN23、MN24构成放大电路的电流源电路，电容C21、C22、C25作为稳定电容；PMOS晶体管MP21的栅极和漏极相连，MP22的栅极和MP21的栅极相连，MP22的源极和MP21的源极接电源；NMOS晶体管MN21的漏极和MP21的漏极相连，MN22的漏极和MP22的漏极相连，MN21的栅极作为放大电路的一个输入端，MN22的栅极作为放大电路的另一个输入端连接基准产生电路（21）的输出电压Va，再与电容C25的一端相连，电容C25的另一端接地；MN21的源极和MN22的源极相连，与MN23的漏极和MN24的漏极相连；MN23的源极和MN24的源极接地；MN23的栅极与电容C21和C22的一端相连，连接基准产生电路（21）的输出电压Vb，电容C21和C22的另一端接地；MN24的栅极连接Va；二级放大电路（222）包括PMOS晶体管MP23、MP24和NMOS晶体管MN25以及电容C24，MP23作为二极放大电路（222）的输入器件，MP24二极管连接作为电阻，MN25为电流源电路，电容C24作为稳定电容；MP23的栅极与MN22的漏极相连，MP23的漏极和MP24的源极相连，再与电容C24的一端相连，作为输出电压VS，电容C24的另一端接地；MP24的栅极和漏极相连，MN25的栅极连接Va，MN25的漏极和MP24的漏极相连，MN25的源极接地。