[实用新型]门极吸收抑制电路模块

摘要

本实用新型涉及IGBT抗干扰和过压保护技术，具体为一种门极吸收抑制电路模块。解决了目前IGBT功率器件所采用的保护电路抗电磁干扰能力差、无过压抑制保护功能使得IGBT容易误导通甚至损坏的技术问题。一种门极吸收抑制电路模块，包括上管IGBT门极吸收抑制电路和下管IGBT门极吸收抑制电路；所述上管IGBT门极吸收抑制电路包括过压抑制电路和滤波吸收稳压电路；所述过压抑制电路包括单向过压抑制二极管D1、D2、D3、快速二极管D4及电阻R3，所述滤波吸收稳压电路包括电容C1、C2、C3、C4、双向稳压二极管D7、D8以及电阻R1、R2。本实用新型能够实现驱动信号的可靠工作，并有效抑制IGBT关断时产生的反向电压瞬时高脉冲，有效的保护的IGBT。

主权项

一种门极吸收抑制电路模块，其特征在于，包括上管IGBT门极吸收抑制电路和下管IGBT门极吸收抑制电路；所述上管IGBT门极吸收抑制电路包括过压抑制电路和滤波吸收稳压电路；所述过压抑制电路包括单向过压抑制二极管D1、D2、D3、快速二极管D4及电阻R3，所述D3的阴极与D2的阳极相连接，D2的阴极与D1的阳极相连接；D1的阴极与上管IGBT的集电极相连接；D4的阳极与D3的阳极相连接；R3与D4的阴极相连接；R3的另一端与上管IGBT的门极相连接；所述滤波吸收稳压电路包括电容C1、C2、C3、C4、双向稳压二极管D7、D8以及电阻R1、R2；所述D7、R1、C1、C2分别连接在上管IGBT的门极和发射极之间，D8的一端与上管IGBT的门极相连接，D8的另一端通过R2与上管IGBT的发射极相连接；所述C3、C4的一端均与D8的另一端相连接；C3、C4的另一端均与上管IGBT的发射极相连接；所述下管IGBT门极吸收抑制电路包括过压抑制电路和滤波吸收稳压电路；所述过压抑制电路包括单向过压抑制二极管D11、D12、D13、快速二极管D14及电阻R13，所述D13的阴极与D12的阳极相连接，D12的阴极与D11的阳极相连接；D11的阴极与上管IGBT的发射极相连接；D14的阳极与D13的阳极相连接；R13与D14的阴极相连接；R13的另一端与下管IGBT的门极相连接；所述滤波吸收稳压电路包括电容C11、C12、C13、C14、双向稳压二极管D17、D18以及电阻R11、R12；所述D17、R11、C11、C12分别连接在下管IGBT的门极和发射极之间，D18的一端与下管IGBT的门极相连接，D18的另一端通过R12与下管IGBT的发射极相连接；所述C13、C14的一端均与D18的另一端相连接；C13、C14的另一端均与下管IGBT的发射极相连接。