[实用新型]一种应用于LDO的过流保护电路有效

专利信息
申请号: 201420404374.5 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN204028740U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 杨洁;彭侨;邹江;阳芝林 申请(专利权)人: 遵义师范学院
主分类号: G05F1/569 分类号: G05F1/569
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谷庆红
地址: 563000 *** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 实用新型公开了一种应用于LDO的过流保护电路,它包括LDO芯片,MOS管M1-M9、MP1、MP2,保险电阻R1、R2、RF1、RF2,其中,所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极,M1的漏极连接M2的源极,M2的漏极连接M3的源极,M3的漏极连接M4的源极,M4的漏极连接M5的源极,M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接,RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极。本实用新型的有益效果是:当功率调整管电流增大到某一定值时,与LDO输出端相连的MOS管打开,抽取输出端电流,防止反馈支路电流过大,达到了过流保护的目的。
搜索关键词: 一种 应用于 ldo 保护 电路
【主权项】:
一种应用于LDO的过流保护电路,其特征在于:它包括LDO芯片,MOS管M1‑M9、MP1、MP2,保险电阻R1、R2、RF1、RF2,其中,所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极,MP1、M1、MP2的源极和R2相连并作为电路的电压输入点,MP1的漏极连接RF1和R1为电路的输出点,M1的漏极连接M2的源极,M2的漏极连接M3的源极,M3的漏极连接M4的源极,M4的漏极连接M5的源极,M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接,M8的源极连接R1的另一端,M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接,M9、M6、M7的源极接地,RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极,LDO芯片的正极输入基准电压,RF2的另一端接地,M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。
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