[实用新型]一种可控硅保护电路有效
| 申请号： | 201420396597.1 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN203951460U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 仇正勇 | 申请（专利权）人： | 温岭资发半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/14 | 分类号： | H03K19/14 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 317500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可控硅保护电路，包括具有初级绕组和次级绕组的变压器，与变压器的初级绕组连接的开关电路，与变压器的次级绕组连接的滤波电路，与滤波电路连接的光耦隔离电路，及双向可控硅，所述双向可控硅的控制极与光耦隔离电路的输出端连接。本实用新型采用了开关电路控制变压器的工作，通过光耦隔离电路将滤波电路与双向可控硅隔离，再通过控制光耦隔离电路的通断以实现双向可控硅的可靠工作，避免了双向可控硅的误触发，具有可靠性高、构造简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种可控硅保护电路，其特征在于：包括具有初级绕组（N0）和次级绕组（N1）的变压器（T1），与变压器（T1）的初级绕组（N0）连接的开关电路（1），与变压器（T1）的次级绕组（N1）连接的滤波电路（2），与滤波电路（2）连接的光耦隔离电路（3），及双向可控硅（TR1），所述双向可控硅（TR1）的控制极与光耦隔离电路（3）的输出端连接。
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