[实用新型]一种全CMOS参考电压源产生电路有效
| 申请号： | 201420346691.6 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN203982251U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘寅;钟波;万达经 | 申请（专利权）人： | 吴江圣博瑞信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种全CMOS参考电压源产生电路，该电路主要包括一个与温度相关的电流源电路、一个工作在亚阈值状态下的N型MOS管，所述电流源电路产生一个随着温度升高，电流值增加的电流，所述N型MOS管工作在亚阈值状态下，产生一个与温度相关的电压。采用本实用新型技术方案，结构简单，具备温度补偿功能，并且占用芯片面积小，在-40至120摄氏度的温度范围内，具有恒定的电压输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 参考 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种全CMOS参考电压源产生电路，其特征在于，包括一个与温度相关的电流源电路、一个工作在亚阈值状态下的N型MOS管，所述电流源电路产生一个随着温度升高，电流值增加的电流，所述N型MOS管工作在亚阈值状态下，产生一个与温度相关的电压；所述电流源电路包括电源端口VDD、NMOS1管，所述工作在亚阈值状态下的N型MOS管包括NMOS2管，所述NMOS1管的栅极G1连接NMOS1管的源极S1，所述NMOS1管的漏极D1连接所述电源端口VDD，所述NMOS1管的衬底B1连接在GND端，所述NMOS2管的栅极G2连接NMOS2管的漏极D2，所述NMOS2管的漏极D2连接NMOS1管的源极S1，所述NMOS2管的衬底B2和源极S2连接在GND端。
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