[实用新型]一种过温保护电路有效
申请号: | 201420341871.5 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN204012656U | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 吴素华 | 申请(专利权)人: | 万源市海铝科技有限公司 |
主分类号: | H02H5/04 | 分类号: | H02H5/04 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 636350 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种过温保护电路,包括第一三极管、第二三极管、第一电阻~第四电阻、第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管、第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一反相器、第二反相器和直流电源,第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻构成检测电路,第一N沟道绝缘栅双极晶体管和第三电阻构成迟滞控制电路。本实用新型所述一种过温保护电路,利用三极管的负温度系数特性构建零温度系数的基准电压,利用开关管进行迟滞控制,达到过温保护的目的。该过温保护电路功耗低、检测精度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种过温保护电路,其特征在于:包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管、第三N沟道绝缘栅双极晶体管、第一反相器、第二反相器和直流电源,所述第一三极管与所述第二三极管用于感应芯片的温度,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接并作为所述过温保护电路的基准电压输入端,所述第一三极管的发射极同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接,所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的第一端连接,所述第二三极管的发射极同时与所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接,所述第二三极管的集电极与所述第二电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第二端、所述第三电阻的第一端连接,所述第三电阻的第二端同时与所述第四电阻的第一端、所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的漏极连接,所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的漏极同时与所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极连接,所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的漏极同时与所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第一反相器的输入端连接,所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接,所述直流电源的正极同时与所述第一P沟道绝缘栅双极晶体管的源极、所述第二P沟道绝缘栅双极晶体管的源极、所述第三P沟道绝缘栅双极晶体管的源极、所述第四P沟道绝缘栅双极晶体管的源极连接,所述直流电源的负极同时与所述第四电阻的第二端、所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的源极、所述第二N沟道绝缘栅双极晶体管的源极、所述第三N沟道绝缘栅双极晶体管的源极连接,所述第一N沟道绝缘栅双极晶体管的栅极与所述第二反相器的输出端连接并作为所述过温保护电路的电压输出端。
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