[实用新型]一种功率因数调整电路

摘要

本实用新型提供了一种功率因数调整电路，涉及功率因数校正技术领域。本实用新型包括整流桥、输入电容Cin、输出电容Cout、绝缘栅双极晶体管S1、单周期控制芯片IR1150、栅极电阻R、频率控制电阻Rf、保护电阻Rsf、过滤电容Csf、去耦电容Cd、低频滤波电容Cb、电压反馈回路、输出电压分压器和过压分压器。本实用新型能够适用于多种电路且能够达到较优的功率因数和稳定性能。

主权项

一种功率因数调整电路，其特征在于：包括整流桥，其输入端连接220V交流电；其第一输出端(A)与升压电感(Lf)、第一二极管(D2)依次串联连接后构成第一电压输出端(C)；其第二输出端(B)与检测电阻(Rs)连接后构成第二电压输出端(D)，第二电压输出端(D)接地；输入电容(Cin)，其并联在整流桥的输出端(A，B)两端；输出电容(Cout)，其并联在电压输出端(C，D)两端；绝缘栅双极晶体管(S1)，其e极接入升压电感(Lf)和第一二极管(D2)之间，其c极接入第二电压输出端(D)；单周期控制芯片IR1150，用与调节绝缘栅双极晶体管(S1)的占空比；栅极电阻(R)，选取阻值为10Ω的电阻，其一端连接单周期控制芯片IR1150的GATE引脚另一端连接绝缘栅双极晶体管(S1)的g极；频率控制电阻(Rf)，选取阻值为60.4KΩ的电阻，其一端接地另一端与单周期控制芯片IR1150的FREQ引脚连接，保护电阻(Rsf)，选取阻值为100Ω的电阻，其一端接入整流桥的第二输出端(B)另一端接入单周期控制芯片IR1150的ISENS引脚；过滤电容(Csf)，选取电容值为1μF的电容，其一端接入第二电压输出端(D)另一端与单周期控制芯片IR1150的ISENS引脚的连接；去耦电容(Cd)，为1μF的陶瓷电容，其一端接地另一端接入单周期控制芯片IR1150的VCC端；低频滤波电容(Cb)，为22μF的电解电容，其并联在去耦电容(Cd)的两端；电压反馈回路，包括补偿电阻(Rgm)、补偿电容(Cz)和滤波电容(Cp)，补偿电阻(Rgm)和补偿电容串联后与滤波电容(Cp)并联连接，其一端接地另一端接入单周期控制芯片IR1150的COMP端；其中，补偿电阻(Rgm)选取阻值为8.9KΩ的电阻，补偿电容(Cz)选取容量为0.33μF的电容，滤波电容(Cp)选取容量为0.01μF的电容；输出电压分压器，包括第一分压电阻(RFb1)、第二分压电阻(RFb2)和第三分压电阻(RFb3)，第一分压电阻(RFb1)、第二分压电阻(RFb2)和第三分压电阻(RFb3)串联后并联在电压输出端(C，D)两端；第二分压电阻(RFb2)和第三分压电阻(RFb3)之间引出导线接入单周期控制芯片IR1150的VFB引脚；以及过压分压器，第一过压分压电阻(Rovp1)、第二过压分压电阻(Rovp2)和第三过压分压电阻(Rovp3)，第一过压分压电阻(Rovp1)、第二过压分压电阻(Rovp2)和第三过压分压电阻(Rovp3)串联后并在电压输出端(C，D)两端；第二过压分压电阻(Rovp2)和第三过压分压电阻(Rovp3)之间引出导线接入单周期控制芯片IR1150的OVP引脚。