[实用新型]针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路

摘要

本实用新型涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域，为实现针对TID进行加固的数字缓冲器电路，本实用新型采用的技术方案是，针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，包含4个PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4，以及两个NMOS晶体管MN1和MN2；VIN和NVIN是两个互补的输入信号端口，接受反相的输入信号，VOUT和NVOUT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相的信号；其中，VOUT和NVOUT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相。本实用新型主要应用于抗辐射集成电路设计。

主权项

一种针对总剂量辐射效应进行加固的数字缓冲器电路，其特征是，包含4个PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4，以及两个NMOS晶体管MN1和MN2；VIN和NVIN是两个互补的输入信号端口，接受反相的输入信号，VOUT和NVOUT是两个互补的输出信号端口，输出两个反相的信号；其中，VOUT和NVOUT端口的输出电平值分别与VIN和NVIN同相；各晶体管的连接关系如下：MP1的源端、漏端和栅端分别连接地、NVOUT和NVIN；MP2的源端、漏端和栅端分别连接地、VOUT和VIN；MP3的源端、漏端和栅端分别连接电源、NVOUT和VOUT；MP4的源端、漏端和栅端分别连接电源、VOUT和NVOUT；MN1的源端、漏端和栅端分别连接至NVIN、NVOUT和VOUT；MN2的源端、漏端和栅端分别连接至VIN、VOUT和NVOUT。