[实用新型]充磁装置有效

专利信息
申请号: 201420008727.X 申请日: 2014-01-07
公开(公告)号: CN203982941U 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 焦辉 申请(专利权)人: 锦州星圆电子公司
主分类号: H01F13/00 分类号: H01F13/00;H01F7/02
代理公司: 代理人:
地址: 121000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型公开一种充磁装置,用于对设备磁化感应,包括中空的容置体,容置体内均匀设置至少多个永磁体。本实用新型的充磁装置在容置体内均匀设置的多个永磁体,便于待磁化的设备在充磁过程中均匀磁化,增加设备的磁场吸收力的稳定性。本实用新型结构简单,使用方便,便于产业推广利用。
搜索关键词: 充磁 装置
【主权项】:
一种充磁装置,用于对设备磁化感应,其特征在于,包括中空的容置体,容置体内部均匀设置至少多个永磁体,所述容置体设置多个空腔,所述多个空腔分别对应容纳所述的多个永磁体,所述的每相邻的两个永磁体之间的中心线以所述容置体的中心角度辐射。
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