[发明专利]一种光阻残留物清洗液有效
| 申请号： | 201410842108.5 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105807577B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘江华;王鹏程;刘兵;彭洪修 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有效地去除光刻胶残留物的光刻胶剥离液组成及其应用。该光刻胶剥离液以三乙醇胺硼酸酯、含有酸性基团的共聚物和还原性的糖或肼作为主要的金属腐蚀抑制剂，三者同时使用，可使得该剥离液在有效的去除晶圆上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属铝、铜等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗。并且不会对UBM(凸块下金属层)蚀刻造成影响和产生UBM残留。因此该新型的清洗液在金属清洗和半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
一种光阻残留物清洗液，包括：季胺氢氧化物、醇胺、溶剂、去离子水、三乙醇胺硼酸酯、含有酸性基团的共聚物和均聚物以及还原性糖或肼。
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