[发明专利]一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法有效
| 申请号： | 201410836882.5 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105800937B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 周昊;唐群;张庆猛 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C03C10/02 | 分类号： | C03C10/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％‑5％。铌酸盐基玻璃陶瓷的成分组成为：xPbO‑ySrO‑zNb2O5‑wNa2O‑vSiO2，其中的x、y、z、w、v表示各成分的摩尔数，且5≤x≤7，9≤y≤11，30≤z≤33，15≤w≤18，25≤v≤35。本发明通过添加氧化铝来改善玻璃相性能，在不改变原有制备工艺条件下提高了玻璃相绝缘电阻，降低了玻璃相的电导损耗，宏观上降低了铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器的介电损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 铌酸盐基 玻璃 陶瓷 高压 电容器 器件 损耗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，其特征在于，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％‑5％。
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