[发明专利]主磁场偏移估算方法和系统在审
| 申请号： | 201410830839.8 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104545917A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张娜;邹超;刘新;钟耀祖;郑海荣 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种主磁场强度偏移估算方法和系统。所述方法包括以下步骤：发射步骤，施加一组等间隔频率的射频脉冲进行激发；采集步骤，采集在一组等间隔频率射频脉冲激发下的一组图像；绘制步骤，根据所述一组图像得到每个像素点的直接水饱和曲线；插值步骤，对所述直接水饱和曲线进行插值得到修正后的直接水饱和曲线；中心频率求取步骤，求取修正后的直接水饱和曲线的中心点频率；偏移计算步骤，将求取的中心点频率和指定的中心点频率相减得到主磁场强度的偏移量。上述主磁场强度偏移估算方法和系统，不需要处理相位时间和空间解卷绕问题，降低了计算的复杂度，且提高了计算精度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 偏移 估算 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种主磁场强度偏移估算方法，其特征在于，包括以下步骤：发射步骤，施加一组等间隔频率的射频脉冲进行激发；采集步骤，采集在一组等间隔频率射频脉冲激发下的一组图像；绘制步骤，根据所述一组图像得到每个像素点的直接水饱和曲线；插值步骤，对所述直接水饱和曲线进行插值得到修正后的直接水饱和曲线；中心频率求取步骤，求取修正后的直接水饱和曲线的中心点频率；偏移计算步骤，将求取的中心点频率和指定的中心点频率相减得到主磁场强度的偏移量。
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