[发明专利]一种氧化锡一维纳米材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410821816.0 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN105887117A 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: 洪若瑜;谢春荣 申请(专利权)人: 苏州纳康纳米材料有限公司
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00;C25B9/10;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215011 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明采用电解法制备导电氧化锡一维纳米材料。该法利用阳离子交换膜,把电解槽分隔为只有阳离子才能自由通过的阴、阳两极室。在阳极室中加入含有螯合基团的有机物,需制备的氧化物A和掺杂物B的盐溶液,其中A浓度在0.05mol/L~2mol/L之间,A与B的摩尔比在1∶0.01~1∶0.20之间,在阴极室中加入防团聚剂。由于阳离子交换膜的存在,在电解过程中阳极室中的金属离子,通过阳离子交换膜进入阴极室,与阴极上缓释出的OH-结合形成氢氧化物,并逐渐形成沉淀。对沉淀进行过滤、洗涤、干燥,并在电阻炉中煅烧,即可得到掺杂的导电氧化锡纳米棒。
搜索关键词: 一种 氧化 锡一维 纳米 材料 制备 方法
【主权项】:
一种导电氧化锡一维纳米材料的制备方法,其特征在于:在电解槽中用阳离子交换膜,把电解槽分隔为只有阳离子才能自由通过的阳极室和阴极室,而阴离子则不能通过。在阳极室中加入含有螯合基团的有机物,需制备的金属锡盐A和掺杂物盐B的溶液,其中A浓度在0.05mol/L~2mol/L之间,A与B的摩尔比在1∶0.01~1∶0.20之间,在阴极室中加入防团聚剂。由于阳离子交换膜的存在,在电解过程中阳极室中的金属离子,通过阳离子交换膜进入阴极室。阴极室中阴极释放出的OH与金属锡离子形成氢氧化物沉淀。对阴极室中的沉淀,进行过滤、洗涤、干燥,即可得到金属锡的氢氧化物。对其氢氧化物在电阻炉中煅烧,即可得到具有掺杂的导电氧化锡一维纳米材料。
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