[发明专利]AMOLED像素电路有效

专利信息
申请号: 201410810774.0 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN104517572A 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 李文辉;曾志远 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种AMOLED像素电路,在第一、第二薄膜晶体管(T1、T2)之间设置第三薄膜晶体管(T3),通过控制线(Control)输入控制信号来控制第三薄膜晶体管(T3)的打开与关闭,从而控制该AMOLED像素电路通过电流量测电路(1)进行驱动电流量测及通过信号电压驱动电路(2)进行信号电压修正,或进行正常显示,能够修正各个像素内进入有机发光二级管(D)的驱动电流,解决由有机发光二级管(D)的特性随时间及温度发生变化所导致的发光亮度不稳定、及显示不均的问题,改善显示效果。
搜索关键词: amoled 像素 电路
【主权项】:
一种AMOLED像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于扫描线(Scan),源极电性连接于信号线(Data),漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极、及电容(C)的一端;第三薄膜晶体管(T3),所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于控制线(Control),源极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的漏极,漏极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的栅极;第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的漏极,源极电性连接于电源线(VDD),漏极电性连接于有机发光二极管(D)的阳极;电容(C),所述电容(C)的一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的漏极,另一端电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的源极;有机发光二极管(D),所述有机发光二极管(D)的阳极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极,阴极电性连接于公共接地电极(VSS);电流量测电路(1),所述电流量测电路(1)的一端电性连接于电源线(VDD),另一端电性连接于信号电压驱动电路(2);以及信号电压驱动电路(2),所述信号电压驱动电路(2)的一端电性连接于电流量测电路(1),另一端电性连接于信号线(Data)。
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