[发明专利]光致酸生成共聚物和相关的光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201410803837.X 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN104725558B 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: V·简恩;O·昂格伊;J·W·撒克里;J·F·卡梅隆 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: C08F220/32 分类号: C08F220/32;C08F220/18;C08F220/24;C08F220/38;G03F7/004;G03F7/09;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及光致酸生成共聚物和相关的光刻胶组合物、涂覆的基材以及形成电子器件的方法。一种共聚物,其包含源自下组的重复单元:对酸不稳定的单体;脂族、含内酯单体;(甲基)丙烯酸C1‑12烷基酯,其中C1‑12烷基包括具体的碱可溶性基团;包含脂族阴离子的光致酸生成单体;以及具有下式的中性芳族单体:其中,R1、R2、R3、X、m和R5如本文所定义。所述共聚物用作光刻胶组合物的组分。描述了包含所述光刻胶组合物层的涂覆的基材,以及使用所述涂覆的基材形成电子器件的方法。
搜索关键词: 光致酸 生成 共聚物 相关 光刻 组合 基材 以及 形成 电子器件 方法
【主权项】:
1.一种共聚物,其包含源自下组的重复单元:对酸不稳定的单体;脂族、含内酯单体;碱可溶性单体,所述碱可溶性单体包含1,1,1,3,3,3‑六氟‑2‑羟基丙‑2‑基取代基或者‑NH‑S(O)2‑Rb取代基,其中Rb是C1‑4全氟烷基;包含脂族阴离子的光致酸生成单体;其中,所述脂族阴离子具有如下结构:或其组合,其中,Ra是‑H、‑F、‑CH3或‑CF3;以及中性脂族单体,其包括:其中,Ra是‑H、‑F、‑CH3或‑CF3;每个Rc独立地是卤素、C1‑6全氟烷基或C3‑6全氟环烷基;以及q是0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;或者其中,Ra是‑H、‑F、‑CH3或‑CF3;每个Rc独立地是卤素、C1‑12烃基、C2‑10烯基、C1‑6全氟烷基或C3‑6全氟环烷基;以及每个q独立地是1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;或者其中,Ra是‑H、‑F、‑CH3或‑CF3;每个Rc独立地是卤素、C1‑12烃基、C2‑10烯基、C1‑6全氟烷基或C3‑6全氟环烷基;以及每个q独立地是0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;或者其中,Ra是‑H、‑F、‑CH3或‑CF3;每个Rc独立地是卤素、C1‑12烃基、C2‑10烯基、C1‑6全氟烷基或C3‑6全氟环烷基;Re是C1‑10亚烷基或者C3‑10环亚烷基;i是2、3或4;n是1;以及每个q独立地是0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;或者其中,Ra是‑H、‑F、‑CH3或‑CF3;每个Rc独立地是卤素、C1‑12烃基、C2‑10烯基、C1‑6全氟烷基或C3‑6全氟环烷基;Rf是C1‑12烷基、C1‑6全氟烷基、C3‑10环烷基或C3‑6全氟环烷基;以及每个q独立地是0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10;或者上述这些的组合,其中,所述共聚物包含的源自所述对酸不稳定的单体的重复单元的量是10‑30重量%,以所述共聚物的总重计。
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