[发明专利]一种温控陶瓷的加工方法有效
| 申请号： | 201410782728.4 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104556993A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 曹艺佳 | 申请（专利权）人： | 曹艺佳 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 236000 安徽省阜阳*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种温控陶瓷的加工方法，按重量计由以下原料制备而成：氢氧化铝13-16份、多晶硅21-26份、氧化铁33-42份、天青石35-42份、石墨12-15份、铟15-17份；本发明的温控陶瓷在1225-1260℃间为导体，超出此温度范围为绝缘体，通过将温控陶瓷连接在加热电路中实现控温，控温精度达到±0.001℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温控 陶瓷 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种温控陶瓷的加工方法，其特征在于，按重量计由以下原料制备而成：氢氧化铝13‑16份、多晶硅21‑26份、氧化铁33‑42份、天青石35‑42份、石墨12‑15份、铟15‑17份；具体步骤如下：（1）、将天青石、多晶硅、石墨使用球磨机研磨，过200目筛，然后混合均匀；（2）、将上述原料在氮气保护下在1215‑1285℃下煅烧30‑50min，然后缓慢降温，降温幅度为2.5℃/min，降温后使用球磨机研磨，过320目筛；（3）、将步骤（2）得到的粉末与氧化铁、氢氧化铝、铟粉碎、混合，模压制坯，模压压强为500Mpa，然后在1320‑1350℃下灼烧1‑1.5h，升温幅度为12.6℃/min，然后降温，降温幅度为3.8℃/min，得到温控陶瓷。
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