[发明专利]一种用于轴瓦上的细Sn相AlSn20Cu涂层及其制备方法有效
申请号: | 201410766300.0 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104532189A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 刘智勇;杨润田;洪春福;王志锋;任丽宏;唐纬虹;刘若涛 | 申请(专利权)人: | 中国兵器科学研究院宁波分院 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/32;C23C14/35;B32B15/01 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人: | 袁忠卫 |
地址: | 315103 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于轴瓦上的细Sn相AlSn20Cu涂层及其制备方法,与现有技术相比,AlSn20Cu层与AlSn20Cu+Al混合层交替分布,有效地抑制了AlSn20Cu涂层中Sn相组织的长大,且涂层成分的多元化、结构的多层化有效改善了涂层的应力分布,所得涂层中Sn相分布更加细密均匀、显微硬度偏大,提高了Sn相在涂层中的结合强度,大幅度增强了抗疲劳性能;突破了目前轴瓦减摩涂层制备时温度不能高于170℃、涂覆时轴瓦夹具需要水冷的限制,扩大了涂覆工艺参数的调整范围,简化了涂覆设备结构;本发明涂层的制备方法所用靶材廉价易得,工艺稳定、运行成本低,对获得更高品质轴瓦减摩涂层具有较好的适用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 轴瓦 sn alsn20cu 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于轴瓦上的细Sn相AlSn20Cu涂层,其特征在于:包括磁控溅射沉积而成的AlSn20Cu层和电弧蒸发离子掺镀Al的AlSn20Cu+Al混合层,所述的AlSn20Cu层与AlSn20Cu+Al混合层交替沉积,且每个AlSn20Cu层的厚度为1μm~3μm,每个AlSn20Cu+Al混合层的厚度为0.5μm~1μm。
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