[发明专利]一种基于MZI硅基可切换偏振器在审
| 申请号： | 201410743928.9 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104407415A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 万玉娟;徐超;郝寅雷;余辉;杨建义;江晓清 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/126;G02F1/01;G02F1/21 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MZI硅基可切换偏振器。包括两个结构相同的偏振不敏感2×2MMI；第一个偏振不敏感2×2MMI的一条S弯曲输出波导的输出端经第一锥形过渡波导与第一条波导的一端连接，其另一条S弯曲输出波导的输出端经第二锥形过渡波导、第一倒锥形过渡波导与第二条波导的一端连接；第二个偏振不敏感2×2MMI的一条S弯曲输入波导的输入端经第二倒锥形过渡波导与第一条波导的另一端连接，其另一条S弯曲输入波导的输入端与第二条波导的另一端连接；第一条波导上设有加热电极。本发明不仅可以分开TE、TM两种偏振状态，且通过调节调制臂上的外加电压，自由切换两个输出端口的TE/TM偏振状态；与CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mzi 硅基可 切换 偏振 | ||
【主权项】：
一种基于MZI硅基可切换偏振器，在SOI材料的顶层硅上刻蚀出两个结构相同的偏振不敏感2×2 MMI；其特征在于：第一个偏振不敏感2×2 MMI的一条S弯曲输出波导的输出端经第一锥形过渡波导与第一条波导的一端连接，第一个偏振不敏感2×2 MMI的另一条S弯曲输出波导的输出端经第二锥形过渡波导、第一倒锥形过渡波导与第二条波导的一端连接；第二个偏振不敏感2×2 MMI的一条S弯曲输入波导的输入端经第二倒锥形过渡波导与第一条波导的另一端连接，第二个偏振不敏感2×2 MMI的另一条S弯曲输入波导的输入端与第二条波导的另一端连接；在第一条波导上设有加热电极。
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