[发明专利]4600nm带通红外滤光敏感元件有效

专利信息
申请号: 201410734957.9 申请日: 2014-12-07
公开(公告)号: CN104597549A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 吕晶;王继平;胡伟琴 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 周豪靖
地址: 311188 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种4600nm带通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的一种4600nm带通红外滤光敏感元件,其中心波长4600±40nm,其在医用红外气体检测分析过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70%,带宽=138±20nm,400~5500nm(除通带外),Tavg<0.1%。
搜索关键词: 4600 nm 通红 滤光 敏感 元件
【主权项】:
 一种4600nm带通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有120nm厚度的Ge层、257nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、267nm厚度的SiO层、112nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、161nm厚度的Ge层、282nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、239nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、294nm厚度的SiO层、233nm厚度的Ge层、287nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、393nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、201nm厚度的SiO层、270nm厚度的Ge层、303nm厚度的SiO层、325nm厚度的Ge层、284nm厚度的SiO层、71nm厚度的Ge层、180nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、1308nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、283nm厚度的Ge层、654nm厚度的SiO层、566nm厚度的Ge层、602nm厚度的SiO层、259nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层。
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