[发明专利]信号放大器、电子装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201410712730.4 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104821793B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 闫涛涛;邓俊雄;蒋培晨;林莉 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张宁 |
| 地址： | 百慕大*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本公开提供了一种信号放大器和电子装置及其形成方法，该信号放大器，包括共源共栅级，所述共源共栅级包括跨导级和与所述跨导级串联连接的第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与第一电容器相连接，其中所述第一电容器的电容被配置成与第一晶体管的栅极‑漏极寄生电容适配，使得所述第一晶体管以浮置栅极偏置电压工作。 | ||
| 搜索关键词： | 信号 放大器 电子 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种信号放大器，包括共源共栅级，所述共源共栅级包括跨导级和与所述跨导级串联连接的第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与第一电容器的一端连接，所述第一晶体管的体电极与第一寄生二极管的正电极连接，所述跨导级包括第二晶体管，所述第二晶体管的体电极与第二寄生二极管的正电极连接，所述第一电容器的另一端也与所述第二寄生二极管的正电极连接，所述第一寄生二极管的负电极与所述第二寄生二极管的负电极连接并且被提供直流电源电压，其中所述第一电容器的电容被配置成与所述第一晶体管的栅极‑漏极寄生电容适配，使得所述第一晶体管以浮置栅极偏置电压工作。
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