[发明专利]一种处理光罩污染颗粒的方法在审
申请号: | 201410697385.1 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN104407498A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 贾洪民;李德建;陈力均;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种处理光罩污染颗粒的方法,通过在光罩的非曝光区域设置一肉眼可见且易清除的定位颗粒后,使用光罩颗粒检测机检测出该定位颗粒以及待清理颗粒的位置,并计算光罩上的待清理颗粒与定位颗粒的相对距离,根据所述相对距离对所述待处理颗粒进行清理;最后继续对定位颗粒进行清理,从而有效去除了光罩上的污染颗粒,排除了生产上断线的危险,提高了晶圆的良率,降低了由于光罩污染颗粒所引起的生产损失。 | ||
搜索关键词: | 一种 处理 污染 颗粒 方法 | ||
【主权项】:
一种处理光罩污染颗粒的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,在所述光罩的非曝光区域设置一定位颗粒;步骤S2,计算所述光罩上的待清理颗粒与所述定位颗粒的相对距离;步骤S3,根据所述相对距离对所述待处理颗粒进行清理;步骤S4,对所述定位颗粒进行清理。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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