[发明专利]一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410691071.0 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104402425A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 杨华斌;周沁;刘慧;李晓宁;王运风;粟航 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/63;C04B35/64;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中txuyzm表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05,0<y<0.05,0<z<0.05,0<m<0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。
搜索关键词: 一种 损耗 铁酸铋 钛酸钡 压电 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种低损耗铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷,其特征是:其组成通式为: (1‑x)(Bi1‑tLat)FeO3xBa(Ti1‑uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中txu、y、z、m表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05, 0<y<0.05, 0<z<0.05,0<m<0.05。
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