[发明专利]一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201410691071.0 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN104402425A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 杨华斌;周沁;刘慧;李晓宁;王运风;粟航 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/63;C04B35/64;C04B35/622 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 罗玉荣 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05,0<y<0.05,0<z<0.05,0<m<0.05。其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 损耗 铁酸铋 钛酸钡 压电 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低损耗铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷,其特征是:其组成通式为: (1‑x)(Bi1‑tLat)FeO3‑xBa(Ti1‑uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05, 0<y<0.05, 0<z<0.05,0<m<0.05。
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