[发明专利]低成本电子抹除式可复写只读存储器数组的操作方法

摘要

本发明公开一种低成本电子抹除式可复写只读存储器数组的操作方法，此低成本电子抹除式可复写只读存储器数组包含多字元线、字线、共源线与子内存数组，此些位线区分为多组位线，字线包含第一、第二字线，共源线包含第一共源线，每一子内存数组包含第一、第二记忆晶胞，第一、第二记忆晶胞皆连接第一组位线、第一共源线并分别连接第一、第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧，且第一、第二记忆晶胞皆作为操作记忆晶胞。本发明可一次选择所有操作记忆晶胞，并利用特殊的偏压设定来达成大量记忆晶胞的写入及抹除。

主权项

1.一种低成本电子抹除式可复写只读存储器数组的操作方法，其特征在于，该低成本电子抹除式可复写只读存储器数组包含：多条平行的位线，区分为多组位线，该多组位线包含一第一组位线；多条平行的字线，与多条该位线互相垂直，并包含一第一字线、第二字线；多条平行的共源线，与多条该字线互相平行，并包含一第一共源线；及多个子内存数组，每一该子内存数组连接一组该位线、二该字线与一该共源线，每一该子内存数组包含：一第一记忆晶胞，连接该第一组位线、该第一共源线与该第一字线；以及一第二记忆晶胞，连接该第一组位线、该第一共源线与该第二字线，该第一记忆晶胞、该第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于该第一共源线的相异两侧，其中，该第一记忆晶胞、该第二记忆晶胞皆包含位于P型基板或P型井区中的N型场效晶体管，且该第一记忆晶胞、该第二记忆晶胞皆作为一操作记忆晶胞，则在选取所有该操作记忆晶胞进行操作时，该操作方法包括：于所有该操作记忆晶胞连接的该P型基板或该P型井区施加一基底电压V_sub，且于所有该操作记忆晶胞连接的该位线、该字线、该共源线分别施加一位电压V_b、一字电压V_w、一共源电压V_s，并满足下列条件：写入时，满足V_sub＝接地；V_s＝V_b＝0；及V_w＝高压；及抹除时，满足V_sub＝接地；V_s＝V_b＝高压；及V_w＝浮接。