[发明专利]一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路在审
| 申请号： | 201410670783.4 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105680846A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吕高庆;方建洪;王默然 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 214063 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路,包括第一滤波电路网络(1)、第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)、50欧姆微带线(4)、X波段场效应晶体管(7),第一滤波电路网络(1)依次通过第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)连接到50欧姆微带线(4)一侧上，X波段场效应晶体管(7)的漏极也连接在50欧姆微带线(4)上，其特征在于，还包括第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)、第二滤波电路网络(8)，第二滤波电路网络(8)依次通过第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)连接到50欧姆微带线(4)另一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 场效应 晶体管 偏置 电路 | ||
【主权项】：
一种大功率场效应晶体管的漏极偏置电路,包括第一滤波电路网络(1)、第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)、50欧姆微带线(4)、X波段场效应晶体管(7),第一滤波电路网络(1)依次通过第一四分之一波长扇形低阻线(2)、第一四分之一波长高阻线(3)连接到50欧姆微带线(4)一侧上，X波段场效应晶体管(7)的漏极也连接在50欧姆微带线(4)上，其特征在于，还包括第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)、第二滤波电路网络(8)，第二滤波电路网络(8)依次通过第二四分之一波长高阻线(5)、第二四分之一波长扇形低阻线(6)连接到50欧姆微带线(4)另一侧上。
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