[发明专利]用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法有效
| 申请号： | 201410668760.X | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104726933A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 程皖筠;许堉程;张志干;詹孔维;张仲升;杨瑜民;余文怀;许松林;李依晴;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法，所述晶碇铸造炉包括有一坩埚，所述坩埚供放置晶种及固态的硅原料，所述冷却装置设置于所述坩埚下方，包含有一基座，其上设有至少一个冷却槽与至少一供流体通过的通道，所述冷却槽对应所述坩埚底部的角落区域，所述通道连通所述冷却槽与所述基座外部。所述铸造晶碇的方法在硅原料熔化的阶段注入流体至所述基座上的通道中，使流体对所述坩埚底面的角落区域进行冷却，以带走过多的热能，以避免位于坩埚角落区域的晶种完全熔化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 铸造 冷却 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于晶碇铸造炉的冷却装置，所述晶碇铸造炉包括有一坩埚，所述坩埚底部具有至少一个角落，所述冷却装置位于所述坩埚下方，其特征在于，所述冷却装置包括有： 一基座，所述基座具有至少一个冷却槽，所述冷却槽对应所述坩埚底部的所述角落，所述基座还具有至少一供流体通过的通道，所述通道连通所述冷却槽与所述基座外部。
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