[发明专利]集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路有效

专利信息
申请号: 201410663954.0 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN104332976A 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 蔡小五;高哲;吕川;魏俊秀;闫明;梁超;刘兴辉 申请(专利权)人: 辽宁大学
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00;H02H9/04
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 代理人: 罗莹
地址: 110000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路,采用PMOS晶体管、NMOS晶体管、电阻与二极管相结合的设计电路,在能够有效的释放静电放电(ESD)电流的同时,避免了使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。本发明通过使用薄栅低压NMOS晶体管作为电容器,代替了传统的电容器,大大减小了设计版面,节约了芯片面积,在电路中应用二极管,使电路适应2.5V的电源电压,保证薄栅低压NMOS晶体管作为电容器使用时充、放电通路顺畅,确保能够有效的泄放静电放电(ESD)电流。
搜索关键词: 集成电路 高压 兼容 静电 放电 电源 钳制 电路
【主权项】:
集成电路高压兼容静电放电的电源钳制电路,包括有二极管、电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及由PMOS晶体管与NMOS晶体管组成的反相器,其特征在于:电阻(4)的一端连接在电源上,另一端连接在二极管(2)的阳极,二极管(2)的阴极连接在二极管(3)的阳极,二极管(3)的阴极连接在二极管(1)的阳极,二极管(1)的阴极连接在二极管(2)的阳极,NMOS晶体管(16)的栅极连接在二极管(3)阴极上,NMOS晶体管(16)的漏极与源极接地;PMOS晶体管(10)与NMOS晶体管(5)组成反相器(13),PMOS晶体管(11)与NMOS晶体管(6)组成反相器(14),PMOS晶体管(12)与NMOS晶体管(7)组成反相器(15),PMOS晶体管(10)、PMOS晶体管(11)与PMOS晶体管(12)的漏极连接电源,NMOS晶体管(5)、NMOS晶体管(6)与NMOS晶体管(7)的源极接地,反相器(13)输入端接二极管(2)的阳极,反相器(13)输出端连接反相器(14)的输入端,反相器(14)的输出端连接反相器(15)的输入端;NMOS晶体管(8)的栅极连接反相器(15)的输出端,漏极连接电源,源极接地;电阻(9)的一端连接NMOS晶体管(8)的栅极,另一端接地。
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