[发明专利]一种超厚电子铜箔的制造方法

摘要

本发明公开了一种超厚电子铜箔的制造方法，步骤如下：经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔。本发明相比现有技术具有以下优点：改善铜箔表面的结晶结构形态，使铜箔在具有高抗拉强度和高延伸率的前提下，毛面生长的铜牙短且大小均匀，表面结晶细致紧密并呈现低轮廓化，可根据实际情况进行调整满足多种规格铜箔的生产要求，改善了粗化层表面形态结构，使处理面上的粗化颗粒微细化，在铜箔表面形成高度展开具有高比表面积的粗糙面，显著提高了铜箔的剥离强度。

主权项

一种超厚电子铜箔的制造方法，其特征在于，步骤如下：经过生箔工序、第一粗化工序、第一固化工序、第二粗化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序和偶联剂喷涂工序，共十个工序生产所述的超厚铜箔，具体如下：生箔工序：在生箔液中电镀生成生箔，本工序电镀操作的电流密度为6000～8000A/m²，所述生箔液温度控制在40～60℃，所述生箔液中硫酸的浓度为100～160g/L,二价铜离子的浓度为65～95g/L,所述生箔液中还包括生箔添加剂，所述生箔添加剂中包含0.5～2.0g/L浓度的低分子量水解明胶，所述低分子量水解明胶的分子量在10000以下，1.0～2.0g/L浓度的高分子量羟乙基纤维素，所述高分子量羟乙基纤维素的分子量在100000以上，0.1～1.0g/L浓度的药用糊精，0.1～0.5g/L浓度的聚二硫二丙磺酸钠，0.1～0.5g/L浓度的葡萄糖和10～30mg/L浓度的盐酸；第一粗化工序：将生箔工序生成的铜箔酸洗后，在粗化液中进行电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/dm²，二段电流密度为5A/dm²，所述粗化液温度控制在30℃，所述粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,所述粗化液中还包括粗化混合添加剂，所述混合添加剂包含浓度为10～40ppm的盐酸，浓度为10～20ppm的钨酸钠，浓度为10～30ppm的硫酸钴，浓度为20～40ppm的乙撑硫脲；第一固化工序：将第一粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm²，二段电流密度为25A/dm²，所述固化液温度控制在30℃，所述固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；第二粗化工序：将第一固化工序电镀后的铜箔在粗化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm²，二段电流密度为5A/dm²，粗化液温度控制在30℃，粗化液中硫酸的浓度为200g/L,二价铜离子的浓度为12g/L,所述粗化液中还包括粗化混合添加剂，所述混合添加剂包含浓度为10～40ppm的盐酸，浓度为10～20ppm的钨酸钠，浓度为10～30ppm的硫酸钴，浓度为20～40ppm的乙撑硫脲；第二固化工序：将第二粗化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm²，二段电流密度为25A/dm²，所述固化液温度控制在30℃，所述固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；第三固化工序：将第二固化工序电镀后的铜箔在固化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为25A/dm²，二段电流密度为15A/dm²，所述固化液温度控制在30℃，所述固化液中硫酸的浓度为108g/L,二价铜离子的浓度为53g/L；黑化工序：将第三固化工序电镀后的铜箔水洗后，在黑化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为30A/m²，二段电流密度为25A/m²，所述黑化液温度控制在28℃，所述黑化液pH值为5.3,所述黑化液中二价镍离子的浓度为13.5g/L；镀锌工序：将黑化工序电镀后的铜箔水洗后，在镀锌液中电镀，电镀操作的一段电流密度为65A/m²，二段电流密度为65A/m²，光面电流密度为100A/m²，所述镀锌液温度控制在40℃，所述镀锌液pH值为9.6,所述镀锌液中锌离子的浓度为5.4g/L，所述镀锌液中焦磷酸钾的浓度为53.5g/L；防氧化工序：将镀锌工序电镀后的铜箔水洗后，在防氧化液中电镀，电镀操作的一段电流密度为450A/m²，二段电流密度为110A/m²，光面电流密度为98A/m²，所述防氧化液温度控制在30℃，所述防氧化液pH值为11.3,所述防氧化液中六价铬离子的浓度为1.2g/L；偶联剂喷涂工序：将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为30℃，所述有机膜偶联剂的浓度为2.5g/L；上述工序完成后，烘干收卷，烘干温度260℃，收卷速度20m/min。