[发明专利]一种宽输入电压范围微功率低成本高压低压转换电路在审
| 申请号： | 201410655072.X | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104319997A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘颖异 | 申请（专利权）人： | 苏州朗宽电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/155 | 分类号： | H02M3/155;H02M1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215533 江苏省苏州市常熟市东南经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽电压输入范围微功率低成本高压低压转换电路。该转换电路包括用于将交流转换为直流的全桥整流电路；将直流高压转化为直流低压的耗尽型场效应晶体管(Depletion Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor以下简称DMOS)或结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transistor以下简称JFET)；对直流低压进行稳压的基准电路和低压差稳压器(Low Dropout Regulator以下简称LDO)以及保证电路正常启动的启动电路。有益效果：该转换电路能够以极低的成本适应极宽的输入电压范围，有利于降低成本，增加企业的核心竞争力，具有十分良好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 电压 范围 功率 低成本 高压 低压 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种宽输入电压范围微功率低成本高压低压转换电路，包括用于将交流转换为直流的全桥整流电路，采用DMOS或JFET将直流高压直接转换为直流低压，其特征在于：高压直流电压接入DMOS或者JFET的漏极，DMOS或者JFET的栅极接地，DMOS或者JFET的源极通过电阻和电容滤波后直接输出低压直流电压。
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