[发明专利]一种准单片低噪声放大器设计方法在审
| 申请号： | 201410652034.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104467696A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 沈一鸣;程冰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/34 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准单片低噪声放大器设计方法，放大器的有源器件和无源器件分别制作成管芯芯片和无源单片，两块芯片再通过焊盘和键合金线连接形成完整电路。采用本发明准单片技术制作的低噪声放大器，将大部分作为低噪声管芯匹配电路和偏置电路的无源电路进行单片化集成，少量退耦用电感电容外置。配合不同的低噪声管芯，设计无源匹配电路的成本仅为有源电路的1/8～1/10，且各工艺线的无源电路制作工艺成熟、成品率高，这种设计方法不受特定工艺限制，有广泛的应用性。制作出的电路既拥有单片集成电路一直性好的特点，也有混合集成电路设计灵活的优点，体积比单纯混合集成电路缩小50％～60％，拥有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 低噪声放大器 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种准单片低噪声放大器设计方法，其特征在于，放大器的有源器件和无源器件分别制作成管芯芯片和无源单片，两块芯片再通过焊盘和键合金线连接形成完整电路。
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