[发明专利]一种ITO靶材的阴极座优化方法有效
| 申请号： | 201410633574.2 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104404460A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈建湘;陈新文;卢玮杰;薛仁奎 | 申请（专利权）人： | 永州市新辉开科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 425000 湖南省永州市冷水滩区凤*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种ITO靶材的阴极座优化方法，包括以下步骤：（1）将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。本发明对阴极座的磁铁排列进行优化，缩短三排磁铁间的距离20-60mm，从而缩小磁力线的分布范围，达到缩小ITO靶材的尺寸节省ITO靶材的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ito 阴极 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO靶材的阴极座优化方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将若干套ITO靶材的阴极座装在连续式磁控溅射镀膜线上，每套ITO靶材的阴极座上设置三排磁铁，其中两排磁铁的个数为10片，中间一排磁铁的个数为9片；（2）、设置在阴极座两侧的两排磁铁与中间一排磁铁的距离均为75mm～85mm；（3）、调节ITO靶材的阴极座上的三排磁铁之间的间距，将阴极座两侧的两排磁铁之间的间距缩小为20mm～60mm。
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