[发明专利]一种接近式纳米光刻双光栅自动对准标记在审
申请号: | 201410620137.7 | 申请日: | 2014-11-07 |
公开(公告)号: | CN105573049A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 徐锋 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 621010 四川省绵阳*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种用于接近式纳米光刻双光栅自动对准标记,由分别位于掩模与硅片上的两组对准标记组成,任意一组对准标记由位于中心的圆型光栅与位于四边角的线型拼接光栅组成。任意一组对准标记中间部分为圆型光栅,用于实现粗对准;任意一组对准标记四个边角位置分别为两组周期相邻的线型拼接光栅组成,其中两个上边角为纵向拼接,两个下边角为横向拼接,分别用于在x,y方向上实现精对准。通过两组对准标记可实现掩模与硅片的高精度快速自动化对准。 | ||
搜索关键词: | 一种 接近 纳米 光刻 光栅 自动 对准 标记 | ||
【主权项】:
一种用于接近式纳米光刻双光栅自动对准标记,由分别位于掩模与硅片上的两组对准标记组成;其特征在于包括:圆型光栅1(1)、线型拼接光栅1(2)、线型拼接光栅2(3)、线型拼接光栅3(4)、线型拼接光栅4(5)、圆型光栅2(6)、线型拼接光栅5(7)、线型拼接光栅6(8)、线型拼接光栅7(9)和线型拼接光栅8(10);圆型光栅1(1)和圆型光栅2(6)分别位于两组对准标记中心位置,用于实现粗对准;线型拼接光栅1(2)与线型拼接光栅5(7)分别位于两组对准标记左上角位置,用于实现x方向精对准;线型拼接光栅2(3)与线型拼接光栅6(8)分别位于两组对准标记左下角位置,用于实现y方向精对准;线型拼接光栅3(4)与线型拼接光栅7(9)分别位于两组对准标记右上角位置,用于实现x方向精对准;线型拼接光栅4(5)与线型拼接光栅8(10)分别位于两组对准标记左上角位置,用于实现y方向精对准。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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