[发明专利]一种过温保护电路

摘要

本发明提供一种过温保护电路，其包括过温检测电路和信号输出电路。所述过温检测电路生成第一电流和第二电流，并比较第一电流和第二电流，基于第一电流和第二电流的比较结果输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温检测信号，其中第一电流的温度系数与第二电流的温度系数不同。所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号。与现有技术相比，本发明提供了一种改进的过温保护电路，其可实现当芯片温度过高时，输出过温保护信号，控制芯片进入温度保护状态。

主权项

一种过温保护电路，其特征在于，其包括过温检测电路和信号输出电路，所述过温检测电路生成第一电流和第二电流，并比较第一电流和第二电流，基于第一电流和第二电流的比较结果输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温检测信号，其中第一电流的温度系数与第二电流的温度系数不同，所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号，所述过温检测电路包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3、MP4，NMOS晶体管MN1、MN2、MN3、MN4，双极型晶体管Q1、Q2，电阻R1、R2，PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4的源极均与电源端VIN相连，PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4的栅极互相连接，PMOS晶体管MP1的栅极与其漏极相连；NMOS晶体管MN1、MN2、MN3和MN4的漏极分别与PMOS晶体管MP1、MP2、MP3和MP4的漏极相连，NMOS晶体管MN2、MN3和MN4的栅极互连，NMOS晶体管MN1的栅极与NMOS晶体管MN2的漏极相连；NMOS晶体管MN2的源极与双极晶体管Q1的发射极相连，双极晶体管Q1的集电极与地节点GND相连，NMOS晶体管MN3的源极经电阻R1和双极晶体管Q2的发射极相连，双极晶体管Q2的集电极与地节点GND，NMOS晶体管MN4的源极经电阻R2与地节点GND相连；双极晶体管Q1的基极与Q2的基极相连后连接至地节点GND；NMOS晶体管MN1的源极与NMOS晶体管MN3的源级相连，PMOS晶体管MP4上的电流为第一电流；NMOS晶体管MN4上的电流为第二电流；PMOS晶体管MP4和NMOS晶体管MN4之间的连接节点为所述过温检测电路的输出端。