[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 201410602571.2 申请日: 2014-10-31
公开(公告)号: CN104680641A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 青木亮祐;福冈诚二;木户利尚 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G07D7/04 分类号: G07D7/04
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种磁传感器,与现有技术比较,能够抑制识别对象扭曲导致的输出变动。磁传感器具备:中空磁铁(1)、基板(2)、磁检测元件(3)。中空磁铁(1)为具有贯通孔(1a)的圆筒磁铁。中空磁铁(1)的z方向+侧的端面在整个面上为N极,z方向-侧的端面在整个面上为S极。基板(2)固定于中空磁铁(1)的N极侧端面上。磁检测元件(3)搭载于基板(2)上。磁检测元件(3)以能够检测x方向的磁场成分的变动的方式设置。磁检测元件(3)的感磁点(3a)位于中空磁铁(1)的中心轴上。作为识别对象的纸币(4)在x方向输送,以横穿磁检测元件(3)的z方向+侧的方式通过。纸币(4)的通过区域包括从中空磁铁(1)及磁检测元件(3)越向z方向+侧离开,磁通密度越大的特定区域。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
一种磁传感器,其特征在于,具备:偏置磁场产生单元和设于所述偏置磁场产生单元的磁极方向一侧的磁检测元件,所述磁传感器识别横穿所述磁检测元件的与所述偏置磁场产生单元的相反侧的磁性粉附着介质或磁性膜附着介质,所述磁检测元件能够检测平行于作为识别对象的磁性粉附着介质或磁性膜附着介质的移动方向的磁场成分的变动,所述磁性粉附着介质或磁性膜附着介质的通过区域包括从所述磁检测元件向所述磁极方向远离时磁场变大的特定区域。
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