[发明专利]一种晶体硅RIE制绒前的表面预处理工艺有效
| 申请号： | 201410577812.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104404627B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 邹帅;党继东;王栩生 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅RIE制绒前的表面预处理工艺，包括如下步骤(1)超声波预清洗；(2) 采用碱性腐蚀液进行腐蚀；所述碱性腐蚀液为NaOH、NaClO与H2O的混合液；(3)去离子水清洗；(4)采用酸性混合溶液进行清洗；(5)去离子水清洗。本发明采用特制的碱性腐蚀液腐蚀去除线切割损伤层，较现有的强酸体系更容易控制，其工艺方法和设备成本更低；采用本发明的方法制备得到的太阳电池，其开路电压明显提高，电池效率提高了0.25%，取得了意想不到的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 rie 制绒前 表面 预处理 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅RIE制绒前的表面预处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1) 对原始硅片进行超声波预清洗；(2) 采用碱性腐蚀液对步骤(1)得到的硅片进行腐蚀；温度为25~90℃，反应时间为2~10 min；所述碱性腐蚀液为NaOH、NaClO与H2O的混合液，其中，NaOH的摩尔浓度为1~2 mol/L，NaClO的摩尔浓度为1~2mol/L；(3) 去离子水清洗；(4) 采用酸性混合溶液进行清洗；(5) 去离子水清洗。
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