[发明专利]基准电压产生装置有效
| 申请号： | 201410573195.9 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104571244B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 桥谷雅幸;广濑嘉胤 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有平坦的温度特性的基准电压产生装置。具备电阻器（3），该电阻器（3）包围以作为电流源发挥功能的方式连接的、流动恒流的第1导电型的耗尽型MOS晶体管（1）和二极管连接的第1导电型增强型MOS晶体管（2）的周边，且，具备在设定温度环境下能够高精度地修整的电流源及与该电流源串联连接的二极管，根据从二极管输出的信号，在所述电阻器中消耗的电压大致恒定，由此能够做成可在恒定的设定温度环境下动作的基准电压产生装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种基准电压产生装置，其特征在于，具有：由第1导电型耗尽型MOS晶体管和第1导电型增强型MOS晶体管构成的基准电压产生电路；包围所述基准电压产生电路的周边的电阻器；以及恒流源以及与所述恒流源串联连接的二极管，在环境温度低于设定温度的情况下，根据从所述二极管输出的电压，控制流过所述电阻器的电流。
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