[发明专利]能反映环境湿度的荧光薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410563424.9 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104342123A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘晓磊 | 申请（专利权）人： | 淄博职业学院 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;G01N21/64;C23C18/00 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255314 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于有机－无机复合材料领域，具体涉及一种能反映环境湿度的荧光薄膜材料及其制备方法。所述的荧光薄膜材料先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的苯甲酸根插层水滑石薄膜，在层间形成含有苯环的疏水性环境，然后将N-乙基咔唑引入并固定于水滑石层间制得；水滑石材料的化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(BA-)x(EK)y·mH2O。本发明插层结构稳定，同时该薄膜的荧光光谱的反射强度随周围环境的湿度变化呈现出规律性变化，可大规模应用于工农业等领域的湿度实时监测领域。 | ||
| 搜索关键词： | 反映 环境 湿度 荧光 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种能反映环境湿度的荧光薄膜材料，其特征在于：先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底，再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的苯甲酸根插层水滑石薄膜，在层间形成含有苯环的疏水性环境，然后将N‑乙基咔唑引入并固定于水滑石层间制得；所述的N‑乙基咔唑与苯甲酸根插层的水滑石为超分子结构，其晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，其化学式为：[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(BA‑)x(EK)y·mH2O其中x＝0.25‑0.33，y＝0.03‑0.08，m＝3‑6，m为层间结晶水分子的数量，M2+为二价金属离子，M3+为二价金属离子，BA‑为苯甲酸根，EK为N‑乙基咔唑。
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