[发明专利]基准电压产生装置在审
| 申请号： | 201410548857.7 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104571251A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 桥谷雅幸;吉野英生 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于英慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有平坦的温度特性的基准电压产生装置。具有：第一导电型的耗尽型MOS晶体管(5)，其被连接成作为电流源发挥作用，流出恒定电流；以及第一导电型的耗尽型MOS晶体管(6)，其以二极管接法连接，具有与耗尽型MOS晶体管(5)相同的埋沟和相同的温度特性，基于恒定电流，产生基准电压。耗尽型MOS晶体管(5)与耗尽型MOS晶体管(6)的温度特性相同，因此，基准电压产生装置的输出的温度特性平坦。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种基准电压产生装置，其具有：第一N型耗尽型MOS晶体管，其流过恒定电流；以及第二N型耗尽型MOS晶体管，其以二极管接法与所述第一N型耗尽型MOS晶体管连接，阈值电压的温度系数与所述第一N型耗尽型MOS晶体管的阈值电压的温度系数相同，该第二N型耗尽型MOS晶体管基于所述恒定电流产生基准电压。
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