[发明专利]一种基于VCE检测的IGBT短路保护自适应优化单元及方法有效
申请号: | 201410547163.1 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN104300511A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 陈敏;张兴耀;朱楠;徐德鸿;何国锋 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H3/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于VCE检测的IGBT短路保护自适应优化单元及方法,包含比较单元、反相单元、触发单元、或单元、下拉单元和最长延时单元。本发明中,当IGBT刚开通时,驱动芯片检测VCE的引脚DESAT被屏蔽,即短路保护功能此时无效,此后当IGBT管压VCE低于比较单元预设阈值时,此时DESAT引脚屏蔽将取消,开始检测IGBT的C-E端电压,从而判断IGBT是否发生短路故障。本发明能够自动判断驱动芯片何时开始检测管压VCE,即自动判断何时开始短路故障检测,避免因不同类型IGBT模块及不同工况下存在的差异性所带来的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 sub ce 检测 igbt 短路 保护 自适应 优化 单元 方法 | ||
【主权项】:
一种基于VCE检测的IGBT短路保护自适应优化单元,其特征在于包含比较单元(1)、反相单元(2)、触发单元(3)、或单元(4)、下拉单元(5)和最长延时单元(6):比较单元(1),其第一输入端(1‑1)连接于功率半导体开关IGBT的集电极C端,用于检测功率半导体开关IGBT的集电极端电压信号VCE,其第二输入端(1‑2)接一预设电压阈值VREF,其输出端(1‑3)连接至触发单元(3)的第一输入端(3‑1);反相单元(2),其输入端(2‑1)连接至IGBT驱动芯片单元(101)的VOUT引脚输出的一驱动信号VOUT,对其进行反相处理,将反相信号通过输出端(2‑2)输出至触发单元(3)的第二输入端(3‑2);触发单元(3),其第一输入端(3‑1)连接至所述比较单元(1)的输出端(1‑2),第二输入端(3‑2)连接至所述反相单元(2)的输出端(2‑2),输出端(3‑3)连接至或单元(4)的第一输入端(4‑1);或单元(4),其第一输入端(4‑1)连接至触发单元(3)的输出端(3‑3),第二输入端(4‑2)连接至最长延时单元(6)的输出端(6‑2),输出端(4‑3)连接至下拉单元(5)的输入端(5‑1);下拉单元(5),其输入端(5‑1)连接至所述或单元(4)的输出端(4‑3),输出端(5‑2)连接至IGBT驱动芯片单元(101)的短路保护检测引脚DESAT;最长延时单元(6),输入端(6‑1)连接至IGBT驱动芯片单元(101)的VOUT引脚输出的一驱动信号VOUT,输出端(6‑2)连接至所述或单元(4)的第二输入端(4‑2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410547163.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电子脱扣器电源能量泄放管理电路
- 下一篇:逆变器控制装置及其控制方法
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法