[发明专利]低散射体次强散射源定位方法、低散射体赋形设计方法有效
| 申请号： | 201410539677.2 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105572640B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 侯兆国;董纯柱;王超;汪勇峰;殷红成 | 申请（专利权）人： | 北京环境特性研究所 |
| 主分类号： | G01S7/02 | 分类号： | G01S7/02;G01S7/41 |
| 代理公司： | 核工业专利中心11007 | 代理人： | 刘昕宇 |
| 地址： | 100076*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于散射机理诊断的低散射体次强散射源的定位方法，包括以下步骤S01分别采用特征基函数方法和高频渐近方法对目标散射体进行电磁特性分析，获取目标散射体在关注姿态及频率下的RCS数据；S02将两种分析方法得到的数据结果进行比较，找出差异确定次强散射源的位置。本发明还公开了基于上述定位方法的低散射体赋形设计方法。本发明的定位方法，能够对大多数次强散射源进行定位并确定其量级，作为低散射体赋形优化的重要依据，可避免主观臆断造成的盲目优化尝试，大大提高低散射体赋形设计效率，具有较广的适用范围。本发明的基于上述定位方法的低散射体赋形设计方法流程清晰明确，便于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 散射 体次强 定位 方法 赋形 设计 | ||
【主权项】：
基于散射机理诊断的低散射体次强散射源的定位方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：分别采用特征基函数方法和高频渐近方法对目标散射体进行电磁特性分析，获取目标散射体在关注姿态及频率下的RCS数据；S02：将两种分析方法得到的数据结果进行比较，找出差异确定次强散射源的位置。
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