[发明专利]一种自清洁二氧化钛纳米管阵列的制备方法有效
申请号: | 201410522899.3 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104278311B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 高大伟;王丽丽;毕红军;王春霞 | 申请(专利权)人: | 盐城工学院 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙)21235 | 代理人: | 胡景波 |
地址: | 224051 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种自清洁二氧化钛纳米管阵列的制备方法,属于无机纳米材料领域,本发明包括以下步骤(1)、阳极氧化(2)、热处理(3)、制备二氧化硅溶胶(4)、二氧化钛纳米管浸润。本发明的TiO2纳米管阵列经二氧化硅溶胶改性后,具有较好的光催化性能和较强的疏水能力,二氧化硅牢固的吸附在TiO2纳米管上,耐多次清洗,自清洁持久性好,而且本方法制备的二氧化钛纳米管阵列不容易被沾污,使用寿命长;本发明工艺设备简单,操作方便,工艺参数易控制,成本低廉,适合于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 清洁 氧化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种自清洁二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、阳极氧化将高纯钛片表面清洗干净,在电解液中进行阳极氧化,采用特安斯TASI‑1603直流电源供应器,其中阴极采用2cm×2cm铂片,阳极为2cm×2cm钛片,电极间距5cm;氧化电压为40~60V,氧化时间为2~6小时;(2)、热处理将阳极氧化后的高纯钛片在450~600℃下煅烧2~4小时进行热处理;(3)、制备二氧化硅溶胶将正硅酸乙酯和乙醇均匀混合,得到混合溶液Ⅰ,再向此混合溶液Ⅰ中缓慢滴加盐酸与水的混合液,得到混合溶液Ⅱ,将混合溶液Ⅱ静置陈化24小时,即得到透明的二氧化硅溶胶;所述的步骤(3)中正硅酸乙酯与乙醇的体积比为1:2~1:3,盐酸与水的体积比为1:20~1:10,滴加的盐酸与水的混合液与混合溶液Ⅰ的体积比为2:1~3:1;(4)、二氧化钛纳米管浸润将步骤(2)中处理后的高纯钛片浸入到步骤(3)中制得的二氧化硅溶胶中,并反复浸润2~5次,每次浸润1~5分钟。
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