[发明专利]能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法有效
| 申请号： | 201410520197.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104310457A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 仇鹏飞;史迅;陈立东;张天松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12;C01G49/12;C01B19/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法，所述热电材料的化学组成为Cu2-m-nTnX，其中，X为S或Se，T为大电流作用下不可移动的过渡金属元素，0≦m≦1，0＜n≦0.5。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 抑制 cu 离子 迁移 热电 材料 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu基热电材料，其特征在于，所述热电材料的化学组成为Cu2‑m‑nTnX，其中，X为S或Se，T为大电流作用下不可移动的过渡金属元素，0≦m≦1，0＜n≦0.5。
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