[发明专利]方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导有效
| 申请号： | 201410515304.1 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104950385B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 欧阳征标;黄浩 | 申请（专利权）人： | 欧阳征标;深圳大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/125 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置高折射率的第二、三介质柱；所述第二、三介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。本发明的结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 方柱式 正方 晶格 光子 晶体 折射率 补偿 散射 直角 波导 | ||
【主权项】：
一种方柱式正方晶格光子晶体高折射率双补偿散射柱直角波导，其特征在于，它由高折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置高折射率的第二、三介质柱；所述第二、三高折射率介质柱为补偿散射柱；所述第一介质柱为高折射率方柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧阳征标;深圳大学，未经欧阳征标;深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410515304.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
