[发明专利]一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法有效
| 申请号： | 201410508580.5 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104326752A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 施春阳 | 申请（专利权）人： | 安徽德润工业设备有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B35/565 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方琦 |
| 地址： | 242800 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法。1）在1450-1650℃温度下，加入Al2O3-Y2O3-CaO体系的氧化物烧结助剂与SiC粉体表面的SiO2氧化层反应形成一定粘度的液相，促进SiC陶瓷的烧结致密化，从而获得高强度的SiC陶瓷；2）SiC粉体的氧化无须采用预氧化工艺，直接在SiC陶瓷烧结过程中形成，SiC的氧化程度通过预埋粉及烧结温度控制来加以控制；3）SiC陶瓷的烧结在空气中进行，相对于保护气氛烧结炉而言，普通箱式烧结炉的设备投入大大降低，且因无须保护气氛，SiC陶瓷的烧结温度较低，因而提高了烧结效率，SiC陶瓷制备成本也有所降低。SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备的步骤：配料→混料→成型→排胶→埋粉烧成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 低温 常压 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
本发明涉及一种SiC陶瓷的低温常压液相烧结制备方法，其特征在于：该方法将SiC原料粉体与氧化物烧结助剂粉体经湿混后制成浆料；浆料在100‑120 ℃干燥3‑4 h，粉碎后过80‑100目筛，加入成形剂后，在90‑100 ℃水浴锅内均匀加热，每2‑3 min搅拌一次，共水浴搅拌30‑60 min；待冷却到室温后再过80‑100目筛，混合粉采用单向压制方式成形；在580‑600 ℃保温20‑30 min排胶；最后埋粉烧结，随炉冷却得到高强度SiC陶瓷样品。
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