[发明专利]人造石墨散热片的制造方法有效
| 申请号： | 201410489431.9 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105502348B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴玉祥;周宪聪;陈伯坤 | 申请（专利权）人： | 江门市荣炭电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/205 | 分类号： | C01B32/205 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人： | 刘祖芬 |
| 地址： | 529152 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种人造石墨散热片的制造方法，其先将一PI(Polyimide)膜送入一热阻式石墨化炉中，以1100℃‑1300℃的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，令该PI膜碳化后形成一PI碳化片；接着，再以2800℃‑3000℃的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一PI石墨散热片；之后，再将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温后，以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15‑30μm的石墨散热片成品。 | ||
| 搜索关键词： | 人造 石墨 散热片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种人造石墨散热片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一：先将一PI膜送入一热阻式石墨化炉中，以1100℃‑1300℃的加热温度，对该PI膜进行加热碳化，使该PI膜碳化后形成一PI碳化片；步骤二：以2800℃‑3000℃的加热温度，对该PI碳化片进行加热石墨化，使该PI碳化片石墨化后形成一PI石墨散热片；步骤三：将该PI石墨散热片冷却，冷却至室温；步骤四：以一压延装置压延其厚度，使该PI石墨散热片经压延后，形成厚度15‑30μm得石墨散热片成品；其中，该热阻式石墨化炉的加热方式为：将PI膜作为热阻体，对该PI膜通电加热。
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