[发明专利]一种磁电声表面波磁场传感器及其制备方法

摘要

一种磁电声表面波磁场传感器及其制备方法，属于电子功能材料与器件技术领域，包括磁致伸缩基底，还包括金属缓冲层及压电薄膜，所述金属缓冲层的材质为金属钛或铬，所述金属缓冲层位于磁致伸缩基底与压电薄膜之间，压电薄膜上表面设有具有双端口的叉指换能器，叉指换能器与压电薄膜一起构成声表面波谐振器；所述叉指换能器包括输入电极、输出电极、位于输入电极外侧的输入端反射栅和位于输出电极外侧的输出端反射栅；所述压电薄膜的厚度范围为0.3～1μm，磁致伸缩基底的厚度大于2倍的声表面波波长。采用高度取向的压电薄膜、单轴各向异性和巨杨氏模量效应的磁致伸缩带材，实现传感器微型化，灵敏度高，一致性好，制备方法简单，适用于对磁场进行探测。

主权项

一种磁电声表面波磁场传感器，包括磁致伸缩基底(1)，其特征在于，还包括金属缓冲层(2)及压电薄膜(3)，所述金属缓冲层(2)的材质为金属钛或铬，所述金属缓冲层(2)位于磁致伸缩基底(1)与压电薄膜(3)之间，压电薄膜(3)上表面设有具有双端口的叉指换能器(4)，叉指换能器(4)与压电薄膜(3)一起构成声表面波谐振器；所述叉指换能器(4)包括输入电极(6)、输出电极(7)、位于输入电极(6)外侧的输入端反射栅(8)和位于输出电极(7)外侧的输出端反射栅(9)；所述压电薄膜(3)的厚度范围为0.3～1μm，磁致伸缩基底(1)的厚度大于2倍的声表面波波长，所述磁致伸缩基底(1)采用单轴各向异性和具有巨杨氏模量效应的磁致伸缩带材。