[发明专利]一种水稻真空渗透遗传转化装置

摘要

一种水稻真空渗透遗传转化装置，该装置在支承桌桌面中部设有通孔，支承桌上放置底板，底板上、下表面中部设有上、下圆柱，上、下圆柱上分别套有磁铁环Ⅱ和磁铁环Ⅰ，磁铁环Ⅰ与磁铁环Ⅱ相邻磁极为同极，下圆柱和磁铁环Ⅰ穿过通孔位于桌面之下，真空渗透遗传转化室放置在底板上，上圆柱位于室内，支架放置在磁铁环Ⅱ上，支架上放置渗透液盛放容器，室内上部内壁设有环状承接台及带阀门的空气通气管和真空抽气接管；室的底端口和顶端口均设有密封圈。该装置能使待转化植株一开始接触渗透转化液时就在真空状态下进行，真正实现了在真空状态下对水稻的原位遗传转化，增强了农杆菌对植株的侵染力。该装置对于个体较小和个体较大的作物都适用。

主权项

一种水稻真空渗透遗传转化装置，其特征在于：该装置设有支承桌（1）、底板（4）、磁铁环Ⅰ（3）、磁铁环Ⅱ（6）、下圆柱（2）、上圆柱（5）、真空渗透遗传转化室（7）、支架（8）、渗透液盛放容器（9），密封圈Ⅰ（13），密封圈Ⅱ（16）部件，具体结构是：A. 真空渗透遗传转化室（7）的结构：真空渗透遗传转化室（7）为中空的圆柱形，且真空渗透遗传转化室（7）的顶端和底端均为敞口，在真空渗透遗传转化室（7）的顶端口盖有盖板（12），真空渗透遗传转化室（7）室内上部的内壁固定连接有环状承接台（15），在位于环状承接台（15）之上的室壁上分别设置有空气通气管（10）和真空抽气接管（14），空气通气管（10）上设置有阀门（11）；B. 支架（8）的结构：支架（8）由四条竖直的支腿（17）和支承板（18）组成，在四条竖直的支腿（17）的顶端分别与支承板（18）的下表面固定连接；C. 总体结构：在支承桌（1）的桌面中部设置有通孔（19），支承桌（1）的桌面上放置有底板（4），底板（4）的下表面中部垂直固定连接有下圆柱（2），下圆柱（2）上间隙套有磁铁环Ⅰ（3），通孔（19）的直径D大于磁铁环Ⅰ（3）的外径K，D＞K，下圆柱（2）和磁铁环Ⅰ（3）均穿过通孔（19）位于支承桌（1）桌面之下，在底板（4）上表面中部且在与下圆柱（2）对应的位置垂直固定连接有上圆柱（5），上圆柱（5）上间隙套有磁铁环Ⅱ（6），磁铁环Ⅰ（3）与磁铁环Ⅱ（6）相邻的磁极为同极；真空渗透遗传转化室（7）放置在底板（4）的上表面中部，且上圆柱（5）及其套有磁铁环Ⅱ（6）位于真空渗透遗传转化室（7）的室内；支架（8）的四条支腿（17）放置在磁铁环Ⅱ（6）的上表面上，在支架（8）的支承板（18）上放置有渗透液盛放容器（9），渗透液盛放容器（9）位于真空渗透遗传转化室（7）室内的环状承接台（15）的下方；支腿（17）的长度H与磁铁环Ⅱ（6）的厚度N之和大于上圆柱（5）的柱高L，H+N＞L；磁铁环Ⅱ（6）位于上圆柱（5）最低处时，渗透液盛放容器（9）口与环状承接台（15）下表面之间的距离R为80cm～120cm；真空渗透遗传转化室（7）的底端口通过密封圈Ⅱ（16）与底板（4）的上表面密封连接，真空渗透遗传转化室（7）的顶端口通过密封圈Ⅰ（13）与盖板（12）密封连接。