[发明专利]分析装置、分析方法、光学元件及电子设备

摘要

本发明提供了热点露出于光学元件的表面且等离子体振子增强效果高的分析装置、分析方法、光学元件及电子设备。分析装置具备：光学元件，包括：第一金属层、配置于贯通第一金属层的电介体柱上并与第一金属层电性绝缘的第二金属层，光学元件的第二金属层的配置满足下述式(1)的关系，P1＜P2≤Q+P1…(1)，P1为第一节距，P2为所述第二节距，Q表示将所述第二金属层的列中所激励的局域型等离子体的角振动频率设为ω、将构成所述第一金属层的金属的电容率设为ε(ω)、将第一金属层的周边的电容率设为ε、将真空中的光速设为c、将作为所述入射光的照射角的与所述第一金属层的厚度方向的倾角设为θ时、由下述式(2)给出的衍射光栅的节距，(ω/c)·{ε·ε(ω)/(ε+ε(ω))}^1/2＝ε^1/2·(ω/c)·sinθ+2mπ/Q (m＝±1，±2)···(2)。

主权项

一种分析装置，其特征在于，具备：光学元件，包括：第一金属层；以及第二金属层，所述第二金属层配置于贯通所述第一金属层的电介体柱上，并与所述第一金属层电绝缘，当将所述第二金属层视为由沿第一方向以第一节距排列有多个所述第二金属层而成的第一金属列时，所述第一金属列沿与所述第一方向交叉的第二方向以第二节距排列配置；光源，将入射光照射至所述光学元件；以及检测器，检测从所述光学元件放射的光，所述光学元件的所述第二金属层的配置满足下述式(1)的关系，P1＜P2≤Q+P1…(1)这里，P1为所述第一节距，P2为所述第二节距，Q表示将所述第二金属层的列中所激励的局域型等离子体的角振动频率设为ω、将构成所述第一金属层的金属的电容率设为ε(ω)、将所述第一金属层的周边的电容率设为ε、将真空中的光速设为c、将作为所述入射光的照射角的与所述第一金属层的厚度方向的倾角设为θ时，由下述式(2)给出的衍射光栅的节距，(ω/c)·{ε·ε(ω)/(ε+ε(ω))}^1/2＝ε^1/2·(ω/c)·sinθ+2mπ/Q (m＝±1,±2,,)···(2)。